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回收废硅片从切片到抛光清洗的工艺流程昆山公厚物资回收有限万芳

发布时间:2020-02-14 12:46:59 阅读: 来源:吸污车厂家

回收废硅片从切片到抛光清洗的工艺流程-昆山公厚物资回收有限公司

回收废硅片生产主要制造流程如下: 切片 倒角 磨片 磨检 CP CVD ML 最终洗净 终检 仓入 二、硅片生产制造流程作业实习 1. 硅棒粘接:用粘接剂对硅棒和碳板进行粘接,以利于牢固的固定在切割机上和方位角的确定。 2. 切片(Slice):主要利用内圆切割机或线切割机进行切割,以获得达到其加工要求的厚度,X、Y方向角,曲翘度的薄硅片。 3. 面方位测定:利用X射线光机对所加工出的硅片或线切割前要加工的硅棒测定其X、Y方位角,以保证所加工的硅片的X、Y方位角符合产品加工要求。 4. 倒角前清洗:主要利用热碱溶液和超声波对已切成的硅片进行表面清洗,以去除硅片表面的粘接剂、有机物和硅粉等。 5. 倒角(BV):利用不同的砥石形状和粒度来加工出符合加工要求的倒角幅值、倒角角度等,以减少后续加工过程中可能产生的崩边、晶格缺陷、处延生长和涂胶工艺中所造成的表面层的厚度不均匀分布。 6. 厚度分类:为后续的磨片加工工艺提供厚度相对均匀的硅片分类,防止磨片中的厚度不均匀所造成的碎片等。 7. 磨片(Lapping):去除切片过程中所产生的切痕和表面损伤层,同时获得厚度均匀一致的硅片。 8. 磨片清洗:去除磨片过程中硅片表面的研磨剂等。 9. 磨片检查:钠光灯下检查由于前段工艺所造成的各类失效模式,如裂纹、划伤、倒角不良等。 10.ADE测量:测量硅片的厚度、曲翘度、TTV、TIR、FPD等。 11.激光刻字:按照客户要求对硅片进行刻字。 12.研磨最终清洗:去除硅片表面的有机物和颗粒。 13.扩大镜检查:查看倒角有无不良和其它不良模式。 14.CP前洗:去除硅片表面的有机物和颗粒。 15.CP(Chemical Polishing):采用HNO3+HF+CH3COOH溶液腐蚀去除31um厚度,可有效去除表面损伤层和提高表面光泽度。 16.CP后洗:用碱和酸分别去除有机物和金属离子。 17.CP检查:在荧光灯和聚光灯下检查表面有无缺陷和洗污,以及电阻率、PN判定和厚度的测量分类。 18.DK(Donar Killer):利用退火处理使氧原子聚为基团,以稳定电阻率。 19.IG(Intrinsic Gettering):利用退火处理使氧原子形成二次缺陷以吸附表面金属杂质。 20.BSD(Back Side Damage):利用背部损伤层来吸附金属杂质。 21.CVD前洗:去除有机物和颗粒。 22.LP-CVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition):高温分解SiH4外延出多晶硅达到增强型的外吸杂。 23.AP-CVD(Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition):在硅片背部外延SiO2来背封并抑制自掺杂。 24.端面处理:去除硅片背面边缘的SiO2。 25.CVD后洗:去除表面颗粒。 26.ML(Mirror Lapping)倒角:防止后续工艺中的崩边发生以及外延时的厚度不均匀等。 27.ML前洗:去除有机物、颗粒、金属杂质等。 28.ML贴付:硅片表面涂腊贴附在陶瓷板上,固定硅片以利于ML加工。 29.ML:也称之为CMP(Chemical Mechanism Polishing),经过粗抛和精抛去除14um厚度,此可有效的去除表面损伤层和提高表面平坦度。 30.去腊洗净:去除ML后背面的腊层。 31.ADE测量:测定硅片表面形貌参数如:平整度,翘曲度等。 32. -t测量:对电阻率和厚度进行测定和分类。 33.扩大镜检查:检查ML倒角不良。 34.最终洗净:去除颗粒,有机物和金属杂质。 35.WIS测定:测量最终洗净后硅片表面颗粒。 36.最终检查:在荧光灯和聚光灯下检查硅片表面的情况。 37.仓入:对硅片进行包装,防止再次污染,以待出货。本文出自:http://zhangpu.zz91.com/

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